| 型号：IRFD9010PBF | 类别：FET - 单 | 制造商：Vishay Siliconix |
| 封装：4-DIP（0.300"，7.62mm） | 描述：MOSFET P-CH 50V 1.1A 4-DIP | |
详细参数
| 类别 | FET - 单 |
|---|---|
| 描述 | MOSFET P-CH 50V 1.1A 4-DIP |
| 系列 | - |
| 制造商 | Vishay Siliconix |
| FET型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET特点 | 标准 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 50V |
| 电流_连续漏极（Id）0a025000C | 1.1A |
| 开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 500 毫欧 @ 580mA，10V |
| Id时的Vgs（th）111最大222 | 4V @ 250µA |
| 闸电荷（Qg）0a0Vgs | 11nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）0a0Vds | 240pF @ 25V |
| 功率_最大 | 1W |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | 4-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 供应商设备封装 | 4-DIP，Hexdip，HVMDIP |
| 包装 | 管件 |
供应商
| 深圳市科雨电子有限公司 | 周小姐，171-4729-9698微信同号，无线联通更快捷！171-4729-9698（微信同号） |
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